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姓名: 王鼎盛 (普通专家) 性别：男 行业类别：其它 地区：全国 单位：中国科学院物理研究所 学科方向：磁性体表面和界面性质的理论，表面吸附和表面电子性质理论，非线性光学晶体物理性质的理论计算，固体电子结构与磁性的理论计算方法。 |
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专家简介
物理学家。中国科学院物理研究所研究员。1940年生于重庆市南川县。1962年毕业于北京大学物理系，1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。主要从事计算物理研究。与他人合作，从密度泛函理论出发，用多重散射方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层...
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专家成果
"从密度泛函理论出发，用多重散射方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩，后为实验所证实；
发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效自旋哈密顿量被...
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技术信息
